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无锡新洁能股份有限公司成立于2013年,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域；未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和封装成品。公司是专业化垂直分工厂商,芯片由公司设计方案后交由芯片代工企业进行代工生产,封装成品由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。
产品
MOSFET IGBT IGBT 功率集成模块（PIM）
IGBT 功率集成模块（PIM）
以先进的IGBT芯片技术为基础,结合高可靠性的封装技术,新洁能推出全新的IGBT 功率集成模块（PIM）系列产品。该系列产品包括650V、750V、1200V和1700V系列产品,并搭载了不同系列的IGBT芯片,以保证产品工作效率良好；同时,可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品,满足不同的应用要求。新洁能的PIM可以广泛用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。
以先进的IGBT芯片技术为基础,结合高可靠性的封装技术,新洁能推出全新的IGBT 功率集成模块（PIM）系列产品。该系列产品包括650V、750V、1200V和1700V系列产品,并搭载了不同系列的IGBT芯片,以保证产品工作效率良好；同时,可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品,满足不同的应用要求。新洁能的PIM可以广泛用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。
1200-1350V IGBT
新洁能1200V至1350V的N沟道IGBT器件,B系列、W系列等广泛应用于各个领域。N沟道1200-1350V系列IGBT产品封装范围包括TO-264、TO-3P、TO-247等。
新洁能1200V至1350V的N沟道IGBT器件,B系列、W系列等广泛应用于各个领域。N沟道1200-1350V系列IGBT产品封装范围包括TO-264、TO-3P、TO-247等。
600-650V IGBT
新洁能600V至650V IGBT产品具备良好的短路性能,为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。广泛应用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及所有的硬开关。 N沟道600-650V系列IGBT产品封装范围包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-3P、TO-247等。
新洁能600V至650V IGBT产品具备良好的短路性能,为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。广泛应用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及所有的硬开关。 N沟道600-650V系列IGBT产品封装范围包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-3P、TO-247等。
12-300V NP MOSFET
新洁能提供的12V~100V Complementary（N、P型互补式）MOSFET产品,是通过将P型与N型Trench功率MOSFET产品分别以高、低边互补配置的方式集成至单个封装中,极大程度上优化了产品封装结构。该类产品广泛应用于DC-DC转换、电机控制以及电池管理系统等。 Complementary MOSFET产品封装外形包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-252-4L等。
新洁能提供的12V~100V Complementary（N、P型互补式）MOSFET产品,是通过将P型与N型Trench功率MOSFET产品分别以高、低边互补配置的方式集成至单个封装中,极大程度上优化了产品封装结构。该类产品广泛应用于DC-DC转换、电机控制以及电池管理系统等。 Complementary MOSFET产品封装外形包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-252-4L等。
500-1050V N MOSFET
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品,以良好的导通电阻,极低的栅极电荷,出色的开关速度,以及极具竞争力的性价比,成为开关电源应用中的理想选择。广泛应用在家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。 N沟道500-800V系列SJ-III MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等。
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品,以良好的导通电阻,极低的栅极电荷,出色的开关速度,以及极具竞争力的性价比,成为开关电源应用中的理想选择。广泛应用在家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。 N沟道500-800V系列SJ-III MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等。
12-150V P MOSFET
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V 沟槽型（Trench）功率MOSFET 产品,广泛应用于电机驱动、电池管理系统、负载开关、通信、消费电子等各个领域。同时提供丰富的封装外形供客户选择,包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等。
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V 沟槽型（Trench）功率MOSFET 产品,广泛应用于电机驱动、电池管理系统、负载开关、通信、消费电子等各个领域。同时提供丰富的封装外形供客户选择,包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等。
12-300V N MOSFET
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V 沟槽型（Trench）功率MOSFET 产品,广泛应用于电机驱动、电池管理系统、负载开关、通信、消费电子等各个领域。同时提供丰富的封装外形供客户选择,包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等。
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V 沟槽型（Trench）功率MOSFET 产品,广泛应用于电机驱动、电池管理系统、负载开关、通信、消费电子等各个领域。同时提供丰富的封装外形供客户选择,包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等。
Auto MOSFET
新洁能车规级功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSFET,双通道MOSFET,IGBT,已通过AEC-Q101认证。电压覆盖范围为-150V至1050V,车规级IGBT器件电压覆盖范围为600V至1200V。新洁能车规级功率器件已经广泛应用在汽车上,从电控单元到域控制器,从蓄电池防反接到电池管理系统,从车舱电机驱动到主驱电控,以及各个汽车零部件中。30V至120V的N沟道功率MOSFET 产品,具备超低的导通电阻,优异的开关特性,结合先进车规级封装所带来的高可靠性,为汽车电子设计工程师提供了丰富的选择。广泛应用于车身域控,动力电池管理,DC/DC,动力总成,辅助驾驶,车载照明等系统中。
新洁能车规级功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSFET,双通道MOSFET,IGBT,已通过AEC-Q101认证。电压覆盖范围为-150V至1050V,车规级IGBT器件电压覆盖范围为600V至1200V。新洁能车规级功率器件已经广泛应用在汽车上,从电控单元到域控制器,从蓄电池防反接到电池管理系统,从车舱电机驱动到主驱电控,以及各个汽车零部件中。30V至120V的N沟道功率MOSFET 产品,具备超低的导通电阻,优异的开关特性,结合先进车规级封装所带来的高可靠性,为汽车电子设计工程师提供了丰富的选择。广泛应用于车身域控,动力电池管理,DC/DC,动力总成,辅助驾驶,车载照明等系统中。
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